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    大拉退火装置工艺工艺简介

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    大拉退火装置工艺工艺简介

    发布日期:2019-08-29 作者: 点击:

    大拉退火装置淬火:往半导体材料中引入残渣正离子时,高效率能量的入射正离子会与半导体材料晶格常数上的分子撞击,使某些晶格常数分子产生偏移,結果导致很多的空位,将促使引入区中的分子排序错乱或是变为为非晶区,因此在离子注入之后务必把半导体材料放到必须的溫度下开展淬火,以修复结晶的构造和清除缺点。一起,淬火也有激话施主和受主残渣的作用,即把一些处在空隙部位的残渣分子根据淬火而让他们进到取代部位。


    RTP(Rapid Thermal Processing)迅速调质处理,是在十分短的時间内将全部硅片加温至400~1300℃环境湿度范围之内的这种方式,相对性于炉体淬火,它具备热费用预算少,硅中残渣健身运动小,沾污寸和生产加工速度快等特性。


    ● 多种led灯管设计构思以确保溫度匀称


    ● 即时闭环控制温控方法


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    大拉退火装置

    ● 莱单编写、加工工艺统计数据纪录/搜索、警报/出错、客户情况等作用

    主要用途


    ● 离子注入倒退火/活性


    ● 金属材料细晶强化,砷化稼电级细晶强化


    ● 磷铝硅酸盐夹层玻璃/硼磷夹层玻璃流回


    ● 沟道空气氧化


    ● 栅物质产生


    ● 多晶硅淬火


    ● 钛硅化物/硅化物/氮化合物淬火铜铟镓硒光伏运用中的硒堆积


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    关键词:大拉退火装置,中大拉退火装置,中拉退火装置

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